封装/外壳：MG-WDSON-8

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：75V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：89A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.7V @ 150µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：186nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：6504pF @ 25V

功率耗散（最大值）：96W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：5.7 毫欧 @ 53A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：DirectFET™ Isometric ME

通道类型：N

最大连续漏极电流：89 A

最大漏源电压：75 V

最大漏源电阻值：5.7 m0hms

最大栅阈值电压：3.7V

最小栅阈值电压：2.1V

最大栅源电压：-20 V、+20 V

封装类型：ME

引脚数目：6+Tab

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：96 W

正向跨导：154S

正向二极管电压：1.2V

最低工作温度：-55 °C

尺寸：6.35 x 5.05 x 0.53mm

每片芯片元件数目：1

宽度：5.05mm

系列：DirectFET

典型栅极电荷@Vgs：124 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：6504 pF @ 25 V

典型关断延迟时间：60 ns

典型接通延迟时间：18 ns

最高工作温度：+150 °C

高度：0.53mm

长度：6.35mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs