FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：375A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：300nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：11560pF @ 25V

功率耗散（最大值）：3.3W（Ta），125W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.5 毫欧 @ 74A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：DIRECTFET L8

封装/外壳：MG-WDSON-11

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Id-连续漏极电流：124A

Rds On-漏源导通电阻：2.8mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：200nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+175C

配置：SingleHexDrainOctalSource

Pd-功率耗散：125W

通道模式：Enhancement

商标名：DirectFET

封装：CutTape

高度：0.74mm

长度：9.15mm

晶体管类型：1N-Channel

宽度：7.1mm

下降时间：41ns

上升时间：32ns

典型关闭延迟时间：92ns

典型接通延迟时间：44ns

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs