设计资源：IRF7494PBF Saber Model IRF7494PBF Spice Model

标准包装：1

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：HEXFET®

包装：剪切带（CT）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：150V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5.2A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：44 毫欧 @ 3.1A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：54nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1750pF @ 25V

功率 - 最大值：3W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

其它名称：*IRF7494TRIRF7494TRCT