封装/外壳：MG-WDSON-8

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：217A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.2 毫欧 @ 132A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.9V @ 150µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：185nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：6680pF @ 25V

功率耗散（最大值）：96W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

系列：HEXFET®，StrongIRFET™

FET类型：N 沟道

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：217A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3.9V @ 150µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：185nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：6680pF @ 25V

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：1.2 毫欧 @ 132A，10V

封装形式Package：Direct-FET

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：40V

连续漏极电流ID：217A

供应商器件封装：DirectFET™ Isometric ME

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs