通道类型：N

最大连续漏极电流：13 A

最大漏源电压：30 V

最大漏源电阻值：11 m0hms

最大栅阈值电压：3V

最小栅阈值电压：1V

最大栅源电压：-20 V、+20 V

封装类型：SOIC

安装类型：表面贴装

引脚数目：8

晶体管配置：单

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：2.5 W

最低工作温度：-55 °C

最高工作温度：+150 °C

每片芯片元件数目：1

长度：5mm

高度：1.5mm

系列：HEXFET

宽度：4mm

晶体管材料：Si

典型栅极电荷@Vgs：52 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：1800 pF@ 25 V

典型关断延迟时间：52 ns

典型接通延迟时间：8.6 ns

尺寸：5 x 4 x 1.5mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs