产品培训模块：High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below

标准包装：95

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：HEXFET®

包装：管件

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：12V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：16A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：7 毫欧 @ 16A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：900mV @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：91nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：8676pF @ 10V

功率 - 最大值：2.5W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO