产品种类MOSFET

晶体管极性N-Channel

汲极/源极击穿电压400 V

闸/源击穿电压+/- 30 V

漏极连续电流3.3 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）1.75 Ohms

配置Single

最大工作温度+ 150 C

安装风格Through Hole

封装 / 箱体TO-220

封装Tube

下降时间35 ns

正向跨导 gFS（最大值/最小值）0.4 S

最小工作温度- 55 C

功率耗散49 W

上升时间35 ns

工厂包装数量50

典型关闭延迟时间35 ns