标准包装：4,800

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：HEXFET®

包装：带卷（TR）

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：15A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：6.6 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.35V @ 25µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：14nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1380pF @ 15V

功率 - 最大值：2.7W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：DirectFET? 等容 MA

供应商器件封装：DIRECTFET? MA