产品培训模块：Discrete Power MOSFETs 40V and Below

设计资源：IRF6100 Saber Model IRF6100 Spice Model

标准包装：6,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：HEXFET®

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5.1A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：65 毫欧 @ 5.1A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：21nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1230pF @ 15V

功率 - 最大值：2.2W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：4-FlipFet?

供应商器件封装：4-FlipFet?