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IRF60DM206 /MOSFET 60V, 130A, DirectFET 2.9mOhm, 133nC Og
IRF60DM206的规格信息
IRF60DM206的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DirectFET-ME

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:130 A

Rds On-漏源导通电阻:2.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:133 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:96 W

配置:Single

商标名:StrongIRFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.7 mm

长度:6.35 mm

宽度:5.05 mm

商标:Infineon / IR

正向跨导 - 最小值:148 S

下降时间:30 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:32 ns

工厂包装数量:4800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:60 ns

典型接通延迟时间:17 ns

零件号别名:SP001561876

供应商IRF60DM206
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深圳市安富世纪电子有限公司IRF60DM206深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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Digi-Key 得捷电子		IRF60DM206Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 130A DIRECTFET$3.08000
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Mouser 贸泽电子		IRF60DM206Infineon / IRMOSFET 60V, 130A, DirectFET 2.9mOhm, 133nC Og1:¥22.9729
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