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IRF3703PBF /MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC
IRF3703PBF的规格信息
IRF3703PBF的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:210 A

Rds On-漏源导通电阻:2.8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:209 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:230 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:15.65 mm

长度:10 mm

晶体管类型:1 N-Channel

类型:Smps MOSFET

宽度:4.4 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:24 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:123 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:53 ns

典型接通延迟时间:18 ns

零件号别名:SP001574662

单位重量:6 g

供应商IRF3703PBF
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深圳市威雅利发展有限公司IRF3703PBF华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120
韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IRF3703PBF深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
13267088774 (微信同号)
Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司IRF3703PBFwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市智连鑫科技有限公司IRF3703PBF深圳市龙岗区龙岗街道新生村新围4巷7号一楼13357276588
13357276588
张小姐Email:350367849@qq.com询价
深圳市佳威星科技有限公司IRF3703PBF深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
13724343501
胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司IRF3703PBF深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553
杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司IRF3703PBF航都大厦10I0755-23990975
13926529829,17318082080
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城IRF3703PBF深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
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深圳市高捷芯城科技有限公司IRF3703PBF深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司IRF3703PBF龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608
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集好芯城IRF3703PBF深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司IRF3703PBF深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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深圳市辉华拓展电子有限公司IRF3703PBF深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
18129819897
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深圳市辉华拓展电子有限公司IRF3703PBF深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市骏创达科技有限公司IRF3703PBF深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD 1期A座20楼20020755-23964265,0755-23917105
朱小姐,王小姐Email:2881479208@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司IRF3703PBF深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司IRF3703PBF深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市华芯盛世科技有限公司IRF3703PBF深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
13723794312
朱先生Email:PHZHUJUNWEI@163.COM询价
深圳市赛美科科技有限公司IRF3703PBF广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861
雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司IRF3703PBF深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
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型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
IRF3703PBFSMPS MOSFET IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO179.38 Kbytes共8页IRF3703PBF的PDF下载地址IRF730AS,IRF730ASPBF,IRFU3709,SFR9220,ADP3118,NTK3134N,IRF3709ZPBF,IRLR120,IXTP02N50D,IRF6622
IRF3703PBF的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics
IRF3703PBFInternational RectifierMOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 2.3Milliohms; ID 210A; TO-220AB; PD 230W; -55de250 : $2.41
500 : $2.3
1,000 : $2.21
2,500 : $2.12
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics
IRF3703PBFInfineonMOSFET, Power,N-Ch,VDSS 30V,RDS(ON) 2.3 Milliohms,ID 210A,TO-220AB,PD 230W,-55C$6.66:
$2.91*:
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Arrow(艾睿)
IRF3703PBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC1+:¥38.33
10+:¥26.21
25+:¥23.5799
50+:¥22.0699
100+:¥20.85
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10+:¥25.01
25+:¥22.550+:¥9.8601
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30+:¥23.47
100+:¥19.84
200+:¥18.251+:¥19.92
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express
IRF3703PBFInternational Rectifier664 : $2.0304
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Chip1Stop
IRF3703PBFIR/InfineonTrans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
RoHS : Compliant
50 : $1.43
200 : $1.38
500 : $1.14
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop
IRF3703PBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC1+:¥38.33
10+:¥26.21
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
IRF3703PBFINFINEON TECHNOLOGIES AMERICAS CORP.MOSFET N-CH 30V 210A TO-220AB10 : $3.632
1 : $4.04
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
IRF3703PBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC1+:¥38.33
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元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子
IRF3703PBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC1+:¥38.33
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500+:¥18.8801
1000+:¥18.0301
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10000+:¥16.651+:¥36.59
10+:¥25.01
25+:¥22.5
元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)
IRF3703PBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC1+:¥38.33
10+:¥26.21
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
IRF3703PBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC1:¥21.8203
10:¥18.5207
100:¥16.0573
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
IRF3703PBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC1+:¥38.33
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TME Electronic Components
IRF3703PBFINTERNATIONAL RECTIFIERTransistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO220AB50 : $1.51
250 : $1.24
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
IRF3703PBFInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB$1.2481
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
IRF3703PBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC1+:¥38.33
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200+:¥18.251+:¥19.921+:¥9.16
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立创商城
IRF3703PBFInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):210A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.8mΩ @ 76A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.8W 类型:N沟道1+:¥21.18
10+:¥20.61
30+:¥20.23
100+:¥19.84