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IPW65R420CFDFKSA2 /MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
IPW65R420CFDFKSA2的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:8.7 A

Rds On-漏源导通电阻:420 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:31.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:83.3 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:CoolMOS

封装:Tube

系列:CFD2

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Infineon Technologies

下降时间:8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7 ns

工厂包装数量:240

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:38 ns

典型接通延迟时间:10 ns

零件号别名:IPW65R420CFD

供应商IPW65R420CFDFKSA2
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IPW65R420CFDFKSA2MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO1.65 Mbytes共22页IPW65R420CFDFKSA2的PDF下载地址
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IPW65R420CFDFKSA2Infineon TechnologiesMOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther1:¥19.9784
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