不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1400pF @ 100V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：151W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：190 毫欧 @ 9.5A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：PG-TO247-3

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：20.2A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 630µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：63nC @ 10V

安装风格：ThroughHole

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Id-连续漏极电流：20.2A

Rds On-漏源导通电阻：170mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：2.5V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：63nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：151W

通道模式：Enhancement

商标名：CoolMOS

封装：Tube

高度：21.1mm

长度：16.13mm

系列：CoolMOSE6

晶体管类型：1N-Channel

宽度：5.21mm

下降时间：8ns

上升时间：10ns

典型关闭延迟时间：90ns

典型接通延迟时间：12ns

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs