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IPW60R099P6 /MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
IPW60R099P6的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:PG-TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:37.9 A

Rds On-漏源导通电阻:99 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:70 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:278 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:CoolMOS

封装:Tube

高度:21.1 mm

长度:16.13 mm

系列:CoolMOS P6

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.21 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:240

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:50 ns

典型接通延迟时间:20 ns

零件号别名:IPW60R099P6XKSA1 SP001114658

单位重量:38 g

供应商IPW60R099P6
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深圳市德州众泰科技有限公司IPW60R099P6XKSA1深圳市福田区汉国中心55楼0755-82780836
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深圳市芯幂科技有限公司IPW60R099P6深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
集好芯城IPW60R099P6深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
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郑小姐Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司IPW60R099P6深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司IPW60R099P6深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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IPW60R099P6Infineon Technologies AGSP001114658_HV MOSFET_TO247_600V_99M OHM240 : $3.5913
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Mouser 贸泽电子
IPW60R099P6Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM1:¥41.8778
10:¥35.5724
100:¥30.8942
250:¥29.2783
500:¥26.2838
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IPW60R099P6Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):37.9A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4.5V @ 1.21mA 漏源导通电阻:99mΩ @ 14.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):278W(Tc) 类型:N沟道1+:¥49.87
200+:¥19.3
500+:¥18.63
1000+:¥18.29