不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：178pF @ 100V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：25W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.4 欧姆 @ 900mA，13V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-251-3 短引线

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3.1A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：13V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 70µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：8.2nC @ 10V

漏源电压（Vdss）：500V

供应商器件封装：PG-TO251-3

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs