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IPU103N08N3G / MOSFET N-Ch 80V 50A IPAK-3
IPU103N08N3G的规格信息
IPU103N08N3G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:50 A

Vds-漏源极击穿电压:80 V

Rds On-漏源导通电阻:10.3 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:100 W

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:IPAK-3

封装:Tube

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:5 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:21 ns

工厂包装数量:1500

典型关闭延迟时间:22 ns

典型接通延迟时间:13 ns

零件号别名:IPU103N08N3GXK

供应商IPU103N08N3G
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