制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:30 A

Vds-漏源极击穿电压:25 V

Rds On-漏源导通电阻:16.8 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:52 W

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:IPAK-3

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:2.8 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:4 ns

工厂包装数量:1500

典型关闭延迟时间:16 ns

典型接通延迟时间:4.1 ns