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IPSH6N03LAG / Trans MOSFET N-CH 25V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-251
IPSH6N03LAG的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

包装:3TO-251

通道模式:Enhancement

最大漏源电压:25 V

最大连续漏极电流:50 A

RDS -于:6.2@10V mOhm

最大门源电压:±20 V

典型导通延迟时间:6 ns

典型上升时间:5.4 ns

典型关闭延迟时间:23 ns

典型下降时间:4.2 ns

工作温度:-55 to 175 °C

安装:Through Hole

标准包装:Rail / Tube

供应商IPSH6N03LAG
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IPSH6N03LAGOptiMOS®2 Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO418.15 Kbytes共12页IPSH6N03LAG的PDF下载地址IPB05N03LB,IPD09N03LAG,IPP10N03LB,IPUH6N03LB,BSC020N025SG,IPB06N03LAG,IPD09N03LBG,IPP11N03LA,BSC024N025S,IPB06N03LB
IPSH6N03LAGOptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO542.47 Kbytes共12页IPSH6N03LAG的PDF下载地址
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