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IPP200N15N3G /连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:4V @ 90uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W 类型:N沟道
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)150V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)50A

栅源极阈值电压4V @ 90uA

漏源导通电阻20mΩ @ 50A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)150W

类型N沟道

供应商IPP200N15N3G
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深圳市源美佳成电子有限公司IPP200N15N3G新华强Q2C0350755-83204865
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深圳市大源实业科技有限公司IPP200N15N3G深圳市龙岗区坂田街道山海商业广场C座7070755-84862070
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集好芯城IPP200N15N3G深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
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IPP200N15N3GInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:4V @ 90uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W 类型:N沟道1+:¥9.99
10+:¥7.5
30+:¥7.05
100+:¥6.59
500+:¥6.39
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