系列：OptiMOS™

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：53A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 61µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：48nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：3220pF @ 50V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：100W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：16.5 毫欧 @ 53A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：PG-TO220-3

封装形式Package：TO-220

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：100V

连续漏极电流ID：53A

漏源电压（Vdss）：100V

供应商器件封装：PG-TO-220-3

无铅情况/RoHs：否