制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:80 A

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Rds On-漏源导通电阻:5.3 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:94 W

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

商标:Infineon Technologies

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:4.2 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:6 ns

典型关闭延迟时间:27 ns

典型接通延迟时间:7 ns