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IPL65R165CFD /MOSFET HIGH POWER_LEGACY
IPL65R165CFD的规格信息
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制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:VSON-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:21.3 A

Rds On-漏源导通电阻:149 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:86 nC

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:195 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:CoolMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:CoolMOS CFD2

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Infineon Technologies

下降时间:5.6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7.6 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:52.8 ns

典型接通延迟时间:12.4 ns

零件号别名:IPL65R165CFDAUMA1 SP000949254

供应商IPL65R165CFD
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IPL65R165CFDInfineon Technologies AGSP000949254_COOL MOS_TR_RO3,000 : $2.9356
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IPL65R165CFDAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 650V 21.3A 4VSON$1.80000
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Mouser 贸泽电子
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10:¥24.2046
100:¥20.9728
250:¥19.8993
3,000:¥14.2945
6,000:查看
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