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IPL65R099C7 /MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
IPL65R099C7的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:VSON-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:21 A

Rds On-漏源导通电阻:88 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:45 nC

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:128 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:CoolMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:8 mm

系列:CoolMOS C7

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:8 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:12 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:89 ns

典型接通延迟时间:11 ns

零件号别名:IPL65R099C7AUMA1 SP001032722

供应商IPL65R099C7
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现代芯城(深圳)科技有限公司IPL65R099C7www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPL65R099C7深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
集好芯城IPL65R099C7深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司IPL65R099C7深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
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深圳市凌特半导体科技有限公司IPL65R099C7广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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IPL65R099C7AUMA1MOSFET N-CH 650V 21A 4VSONInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO1.35 Mbytes共14页IPL65R099C7AUMA1的PDF下载地址
IPL65R099C7的全球分销商及价格
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Chip1Stop
IPL65R099C7Infineon Technologies AGMOSFET
RoHS : Compliant
1 : $4.8
50 : $3.3
200 : $3.08
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Digi-Key 得捷电子
IPL65R099C7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 650V 21A 4VSON$6.26000
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Mouser 贸泽电子
IPL65R099C7Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS1:¥43.3355
10:¥36.8041
100:¥31.8886
250:¥30.2727
3,000:¥21.7412
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Mouser 贸泽电子
IPL65R099C7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS1:¥43.3355
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Verical
IPL65R099C7Infineon Technologies AG0$6.0
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立创商城
IPL65R099C7Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):21A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 590uA 漏源导通电阻:99mΩ @ 5.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):128W(Tc) 类型:N沟道1+:¥51.55
200+:¥19.95
500+:¥19.25
1000+:¥18.9