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IPI65R190CFD /MOSFET N-Ch 650V 17.5A I2PAK-3 CoolMOS CFD2
IPI65R190CFD的规格信息
IPI65R190CFD的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-262-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:17.5 A

Rds On-漏源导通电阻:190 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:68 nC

Pd-功率耗散:151 W

配置:Single

商标名:CoolMOS

封装:Tube

高度:9.45 mm

长度:10.2 mm

系列:CoolMOS CFD2

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.5 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:6.4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8.4 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

零件号别名:IPI65R190CFDXKSA1 IPI65R19CFDXK SP000905386

单位重量:2.387 g

供应商IPI65R190CFD
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深圳市凌特半导体科技有限公司IPI65R190CFD广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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IPI65R190CFDInfineon Technologies AGMOSFET N-CH 650V 17.5A TO262500 : $1.93424
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1000+:¥11.1801
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