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IPI126N10N3GXKSA1 / Trans MOSFET N-CH 100V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-262
IPI126N10N3GXKSA1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

最大门源电压:±20

安装:Through Hole

包装宽度:4.57(Max)

PCB:3

最大功率耗散:94000

最大漏源电压:100

欧盟RoHS指令:Compliant

最大漏源电阻:12.6@10V

每个芯片的元件数:1

最低工作温度:-55

供应商封装形式:TO-262

标准包装名称:I2PAK

最高工作温度:175

渠道类型:N

包装长度:10.36(Max)

引脚数:3

通道模式:Enhancement

包装高度:9.45(Max)

最大连续漏极电流:58

标签:Tab

铅形状:Through Hole

连续漏极电流:58 A

栅源电压(最大值):�20 V

功率耗散:94 W

漏源导通电阻:0.0126 ohm

工作温度范围:-55C to 175C

包装类型:TO-262

极性:N

类型:Power MOSFET

元件数:1

工作温度分类:Military

漏源导通电压:100 V

弧度硬化:No

供应商IPI126N10N3GXKSA1
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芯莱德电子(香港)有限公司IPI126N10N3GXKSA1深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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