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IPI120N04S3-02 /MOSFET N-Ch 40V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T
IPI120N04S3-02的规格信息
IPI120N04S3-02的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-262-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:120 A

Rds On-漏源导通电阻:2.3 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:300 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:OptiMOS

封装:Tube

高度:9.45 mm

长度:10.2 mm

系列:OptiMOS-T

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.5 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:18 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:19 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:57 ns

典型接通延迟时间:35 ns

零件号别名:IPI120N04S302AKSA1 IPI12N4S32XK SP000261225

单位重量:2.387 g

供应商IPI120N04S3-02
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