制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:否

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:30 A

Vds-漏源极击穿电压:25 V

Rds On-漏源导通电阻:21.9 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:46 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DPAK-3

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:2.6 ns

正向跨导 - 最小值:36 S / 18 S

最小工作温度:- 55 C

上升时间:4.6 ns

工厂包装数量:2500

典型关闭延迟时间:15 ns

典型接通延迟时间:5.4 ns