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IPD90P04P4-05 /MOSFET P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2
IPD90P04P4-05的规格信息
IPD90P04P4-05的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:90 A

Rds On-漏源导通电阻:4.7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:118 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:125 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.3 mm

长度:6.5 mm

系列:OptiMOS-P2

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:14 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:7 ns

典型接通延迟时间:3 ns

零件号别名:IPD90P04P405ATMA1 IPD9P4P45XT SP000671164

单位重量:4 g

供应商IPD90P04P4-05
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深圳市安富世纪电子有限公司IPD90P04P4-05深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553		杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPD90P04P4-05深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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现代芯城（深圳）科技有限公司IPD90P04P4-05www.nowchip.com0755-27381274
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18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
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19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
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IPD90P04P4-05OptiMOS-P2 Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO135.6 Kbytes共9页IPD90P04P4-05的PDF下载地址无
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Mouser 贸泽电子		IPD90P04P4-05Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P21:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.1473
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立创商城		IPD90P04P4-05Infineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-40V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.7mΩ @ 90A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W(Tc) 类型：P沟道1+:￥10.67
10+:￥8.03
30+:￥7.54
100+:￥6.707
500+:￥6.498
1000+:￥6.3935
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