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IPD90P03P4-04 /MOSFET P-Ch -30V 90A DPAK-2 OptiMOS-P2
IPD90P03P4-04的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PG-TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:90 A

Rds On-漏源导通电阻:4.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:100 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:137 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.3 mm

长度:6.5 mm

系列:OptiMOS-P2

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:20 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:70 ns

典型接通延迟时间:35 ns

零件号别名:IPD90P03P404ATMA1 IPD9P3P44XT SP000396298

单位重量:4 g

供应商IPD90P03P4-04
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IPD90P03P4-04InfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET P Chan Enhancement Mode 30V MOSFET2500+:¥4.89
5000+:¥4.65
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