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IPC60R600E6X1SA1 /MOSFET N-CH BARE DIE
IPC60R600E6X1SA1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageBulk

FET Type-

Technology-

Drain to Source Voltage (Vdss)-

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C-

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-

Rds On (Max) @ Id, Vgs-

Vgs(th) (Max) @ Id-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-

Vgs (Max)-

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-

FET Feature-

Power Dissipation (Max)-

Operating Temperature-

Mounting Type-

Supplier Device Package-

Package / Case-

供应商IPC60R600E6X1SA1
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万三科技(深圳)有限公司IPC60R600E6X1SA1深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园6090755-21006672
18188642307
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深圳亿恒升电子有限公司IPC60R600E6X1SA1都会100A座24A0755-29992989,0755-23945396
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苏先生,李小姐Email:1356901849@qq.com询价
上海传泽电子科技有限公司IPC60R600E6X1SA1上海市松江区乐都西路825弄8990号5层13381567868刘经理Email:1989029555@qq.com询价
深圳市佳威星科技有限公司IPC60R600E6X1SA1深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
13724343501
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北京显周科技有限公司IPC60R600E6X1SA1北京市海淀区西三旗沁春家园1号楼、2号楼、3号楼2层201-2036010-85525361
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