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IPC60R600E6X1SA1 /MOSFET N-CH BARE DIE
IPC60R600E6X1SA1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageBulk

FET Type-

Technology-

Drain to Source Voltage (Vdss)-

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C-

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-

Rds On (Max) @ Id, Vgs-

Vgs(th) (Max) @ Id-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-

Vgs (Max)-

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-

FET Feature-

Power Dissipation (Max)-

Operating Temperature-

Mounting Type-

Supplier Device Package-

Package / Case-

供应商IPC60R600E6X1SA1
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深圳市博浩通科技有限公司IPC60R600E6X1SA1华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
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13510157626
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