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IPC60R160C6X1SA1 /MOSFET N-CH BARE DIE
IPC60R160C6X1SA1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageBulk

FET Type-

Technology-

Drain to Source Voltage (Vdss)-

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C-

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-

Rds On (Max) @ Id, Vgs-

Vgs(th) (Max) @ Id-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-

Vgs (Max)-

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-

FET Feature-

Power Dissipation (Max)-

Operating Temperature-

Mounting Type-

Supplier Device Package-

Package / Case-

供应商IPC60R160C6X1SA1
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深圳市惊羽科技有限公司IPC60R160C6X1SA1深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
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深圳市嘉莉电子有限公司IPC60R160C6X1SA1深圳市福田区华强北深纺大厦4楼E1337702078
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深圳市全秀电子有限公司IPC60R160C6X1SA1东久创新科技园6栋12楼整层13129599479
13129599479
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深圳市高捷芯城科技有限公司IPC60R160C6X1SA1深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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深圳市维基鸿电子有限公司IPC60R160C6X1SA1赛格科技园2栋100813148740189/ 19520735817/13632918917
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