FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：58A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 46µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：35nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2500pF @ 50V

功率耗散（最大值）：94W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：12.3 毫欧 @ 46A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：D²PAK（TO-263AB）

封装/外壳：PG-TO263-3

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：50V

通道类型：N

最大连续漏极电流：58 A

最大漏源电压：100 V

最大漏源电阻值：23.5 m0hms

最大栅阈值电压：3.5V

最小栅阈值电压：2V

最大栅源电压：-20 V、+20 V

封装类型：D2PAK (TO-263)

引脚数目：3

晶体管配置：单

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：94 W

典型接通延迟时间：14 ns

典型关断延迟时间：24 ns

典型输入电容值@Vds：1880 pF @ 50 V

典型栅极电荷@Vgs：26 nC @ 10 V

晶体管材料：Si

最高工作温度：+175 °C

高度：4.57mm

系列：OptiMOS 3

宽度：9.45mm

最低工作温度：-55 °C

长度：10.31mm

尺寸：10.31 x 9.45 x 4.57mm

每片芯片元件数目：1

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs