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IPB120P04P4L-03 /MOSFET P-Ch -40V -120A D2PAK-2 OptiMOS-P2
IPB120P04P4L-03的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:120 A

Rds On-漏源导通电阻:4.9 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:180 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:136 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS-P2

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:9.25 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:57 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:16 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:85 ns

典型接通延迟时间:21 ns

零件号别名:IPB120P04P4L03ATMA1 IPB12P4P4L3XT SP000842284

单位重量:4 g

供应商IPB120P04P4L-03
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