IFN5566
/JFET N-Ch Dual JFET -40V 50mA 650mW 3.3mW
IFN5566的规格信息
制造商:InterFET
产品种类:JFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-71-6
晶体管极性:N-Channel
配置:Dual
Vgs-栅源极击穿电压 :- 40 V
Vgs=0时的漏-源电流:30 mA
Rds On-漏源导通电阻:100 Ohms
Pd-功率耗散:650 mW
封装:Bulk
类型:JFET
商标:InterFET
正向跨导 - 最小值:7000 uhmo
闸/源截止电压:- 3 V
工厂包装数量:1
IFN5566
IFN5566及相关型号的PDF资料
型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
IFN5566 | N-Channel Dual Silicon Junction Field-Effect Transistor | INTERFET[InterFET Corporation] | ![INTERFET[InterFET Corporation]的LOGO](/PdfSupLogo/226INTERFET.GIF) | 100.66 Kbytes | 共1页 |  | 无 |
IFN5566的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Mouser 贸泽电子 | IFN5566 | InterFET | JFET N-Ch Dual JFET -40V 50mA 650mW 3.3mW | 1:¥175.5003 10:¥149.2278 100:¥138.6171 250:¥127.1702
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