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IFN5566 /JFET N-Ch Dual JFET -40V 50mA 650mW 3.3mW
IFN5566的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:InterFET

产品种类:JFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-71-6

晶体管极性:N-Channel

配置:Dual

Vgs-栅源极击穿电压 :- 40 V

Vgs=0时的漏-源电流:30 mA

Rds On-漏源导通电阻:100 Ohms

Pd-功率耗散:650 mW

封装:Bulk

类型:JFET

商标:InterFET

正向跨导 - 最小值:7000 uhmo

闸/源截止电压:- 3 V

工厂包装数量:1

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IFN5566InterFETJFET N-Ch Dual JFET -40V 50mA 650mW 3.3mW1:¥175.5003
10:¥149.2278
100:¥138.6171
250:¥127.1702