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IFN5196 /JFET Dual JFET N-CH -50V 50mA 250mW 2.6mW
IFN5196的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:InterFET

产品种类:JFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-71-6

晶体管极性:N-Channel

配置:Dual

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Vgs-栅源极击穿电压 :- 50 V

Vgs=0时的漏-源电流:7 mA

Id-连续漏极电流:- 200 uA

Pd-功率耗散:250 mW

系列:IFN519

封装:Bulk

类型:JFET

商标:InterFET

正向跨导 - 最小值:1 mS

闸/源截止电压:- 4 V

工厂包装数量:1

零件号别名:2N5196

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