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IAUC120N04S6N013 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:3V @ 60uA 漏源导通电阻:1.34mΩ @60A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):115W(Tc) 类型:N沟道
IAUC120N04S6N013的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)40V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)120A(Tc)

栅源极阈值电压3V @ 60uA

漏源导通电阻1.34mΩ @60A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)115W(Tc)

类型N沟道

供应商IAUC120N04S6N013
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