包装标准卷带
系列OptiMOS™-6
零件状态有源
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）960毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2V @ 90µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）128nC @ 10V
Vgs（最大值）±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）7806pF @ 25V
FET 功能-
功率耗散（最大值）150W（Tc）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-TDSON-8-34
封装/外壳8-PowerTDFN