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HSO8205 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：27mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：双N沟道（共漏）

HSO8205的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）20V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）6A

栅源极阈值电压1.5V @ 250uA

漏源导通电阻27mΩ @ 6A,4.5V

最大功率耗散（Ta=25°C）1.5W

类型双N沟道（共漏）

HSO8205

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深圳市芯幂科技有限公司	HSO8205	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	HSO8205	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	HSO8205	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
集好芯城	HSO8205	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	HSO8205	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市嘉莉电子有限公司	HSO8205	深圳市福田区华强北深纺大厦4楼E133	7702078 13537702078	陈生	询价

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HSO8205	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：27mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：双N沟道（共漏）	HUASHUO(华朔)		932.29 Kbytes	共5页		无

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立创商城	HSO8205	HUASHUO(华朔)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：27mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：双N沟道（共漏）	10+:￥0.312607 100+:￥0.23014 300+:￥0.214993 1000+:￥0.199846 5000+:￥0.193114 10000+:￥0.189788

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