HSL03N20
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.5A 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:1Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):42W 类型:N沟道
HSL03N20的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)1.5A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻1Ω @ 1A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)42W
类型N沟道
HSL03N20
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| HSL03N20 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.5A 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:1Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):42W 类型:N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 859.14 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
HSL03N20的全球分销商及价格
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 立创商城 | HSL03N20 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.5A 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:1Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):42W 类型:N沟道 | 1+:¥1.0971 10+:¥0.8222 30+:¥0.7717 100+:¥0.7212 500+:¥0.6988 1000+:¥0.6877
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