HSK4N10
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：165mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道
HSK4N10的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）4A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻165mΩ @ 4A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）1.25W
类型N沟道
HSK4N10
HSK4N10及相关型号的PDF资料
| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| HSK4N10 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：165mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 434.87 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
HSK4N10的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
立创商城 | HSK4N10 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：165mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道 | 5+:￥0.530485
50+:￥0.390541
150+:￥0.364837
500+:￥0.339133
2500+:￥0.327709
5000+:￥0.322064
|