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HSF10N65 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1Ω @ 6.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W 类型:N沟道
HSF10N65的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)650V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)10A

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻1Ω @ 6.5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)48W

类型N沟道

供应商HSF10N65
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HSF10N65连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1Ω @ 6.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W 类型:N沟道HUASHUO(华朔)HUASHUO(华朔)的LOGO1.50 Mbytes共7页HSF10N65的PDF下载地址
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HSF10N65HUASHUO(华朔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1Ω @ 6.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W 类型:N沟道1+:¥2.4
10+:¥1.75
30+:¥1.63
100+:¥1.51
500+:¥1.46
1000+:¥1.43