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HSD6016 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):47A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):52W 类型:N沟道
HSD6016的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)47A

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻12mΩ @ 30A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)52W

类型N沟道

供应商HSD6016
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HSD6016连续漏极电流(Id)(25°C 时):47A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):52W 类型:N沟道HUASHUO(华朔)HUASHUO(华朔)的LOGO495.38 Kbytes共4页HSD6016的PDF下载地址
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HSD6016HUASHUO(华朔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):47A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):52W 类型:N沟道1+:¥1.187
10+:¥0.8671
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100+:¥0.7496
500+:¥0.7235
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