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HSD6004 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):23A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):34.7W 类型:N沟道
HSD6004的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)23A

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻30mΩ @ 15A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)34.7W

类型N沟道

供应商HSD6004
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HSD6004连续漏极电流(Id)(25°C 时):23A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):34.7W 类型:N沟道HUASHUO(华朔)HUASHUO(华朔)的LOGO264.12 Kbytes共4页HSD6004的PDF下载地址
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HSD6004HUASHUO(华朔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):23A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):34.7W 类型:N沟道1+:¥0.8337
10+:¥0.6138
30+:¥0.5734
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