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HN2C01FU-Y(TE85L,F /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
HN2C01FU-Y(TE85L,F的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

数据列表：HN2C01FU -

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：晶体管（BJT） - 阵列

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：2 NPN（双）

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：250mV @ 10mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：120 @ 2mA，6V

功率 - 最大值：200mW

频率 - 跃迁：80MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装：US6

其它名称：HN2C01FU-Y(TE85LFTR

供应商HN2C01FU-Y(TE85L,F
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深圳市芯幂科技有限公司HN2C01FU-Y(TE85L,F深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
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Arrow(艾睿)		HN2C01FU-Y(TE85L,FToshiba America Electronic Components, Inc.晶体管(BJT) - 阵列 - 分立半导体产品3000+:￥0.61
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15000+:￥0.49
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