HD3401
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.2A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：1.3V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 4.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW 类型：P沟道
HD3401的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）-30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）4.2A
栅源极阈值电压1.3V @ 250uA
漏源导通电阻65mΩ @ 4.2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）350mW
类型P沟道
HD3401
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| HD3401 | Plastic-Encapsulate MOSFET | HDSEMI[Jiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd] | ![HDSEMI[Jiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd]的LOGO](/PdfSupLogo/1063HDSEMI.GIF) | 2059.21 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
HD3401的全球分销商及价格
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立创商城 | HD3401 | High Diode(海德) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.2A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：1.3V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 4.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW 类型：P沟道 | 10+:￥0.241097
100+:￥0.176123
300+:￥0.164189
1000+:￥0.152255
5000+:￥0.146951
10000+:￥0.14433
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