HD3400
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.4V @ 250uA 漏源导通电阻：35mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW 类型：N沟道
HD3400的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）5.8A
栅源极阈值电压1.4V @ 250uA
漏源导通电阻35mΩ @ 5.8A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）350mW
类型N沟道
HD3400
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| HD3400 | Plastic-Encapsulate MOSFET | HDSEMI[Jiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd] | ![HDSEMI[Jiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd]的LOGO](/PdfSupLogo/1063HDSEMI.GIF) | 1991.27 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
HD3400的全球分销商及价格
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立创商城 | HD3400 | High Diode(海德) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.4V @ 250uA 漏源导通电阻：35mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW 类型：N沟道 | 10+:￥0.231824
100+:￥0.169349
300+:￥0.157874
1000+:￥0.146399
5000+:￥0.141299
10000+:￥0.138779
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