包装管件

系列-

零件状态停產

FET 类型2 N 沟道（双）共漏

FET 功能标准

漏源电压（Vdss）20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）9.4A（Ta）

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）17 毫欧 @ 3A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）3.5nC @ 4V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）400pF @ 10V

功率 - 最大值3.6W

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

封装/外壳4-VDFN

供应商器件封装4-QFN（2x2）