包装散装
系列-
零件状态停產
FET 类型2 N 沟道（双）共漏
FET 功能标准
漏源电压（Vdss）20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）10.1A（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）9.8 毫欧 @ 3A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）11nC @ 4V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1125pF @ 10V
功率 - 最大值3.6W（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
封装/外壳4-XFLGA，CSP
供应商器件封装4-WLCSP（1.82x1.82）