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GA10JT12-263 /GeneSiC Semiconductor/分立半导体产品
GA10JT12-263的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:50

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:管件

FET 类型:碳化硅,常闭

FET 功能:超级结

漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV)

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):25A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):120 毫欧 @ 10A

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):-

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1403pF @ 800V

功率 - 最大值:170W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:-

供应商器件封装:-

其它名称:1242-1186GA10JT12-220ISOGA10JT12220ISO

供应商GA10JT12-263
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500+:¥95.65
1000+:¥87.7401
2500+:¥84.441250+:¥88.75
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2500+:¥84.441250+:¥88.75
2500+:¥89.28