技术：SiC（碳化硅结晶体管）

漏源电压（Vdss）：1200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：160A（Tc）

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：14400pF @ 800V

功率耗散（最大值）：535W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：10 毫欧 @ 100A

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：底座安装

供应商器件封装：SOT-227

封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs